一种新型花篮结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种新型花篮结构，包括两侧的端板，所述端板之间设置多个侧杆和底杆，所述端板之间还设置多个中杆，且中杆位于端板中心线上，所述中杆、侧杆和底杆之间形成半包围结构，且用于放置半片，所述中杆和侧杆相对的一面排列设置篮齿。本实用新型利于减少硅片的翘曲度，从而降低粘片比例、提高产品良率；本实用新型可以单个花篮放置2个或者3个半片，增加单位花篮的产量；针对薄硅片，尤其厚度小于150μm的硅片，本实用新型因为硅片翘曲度小，可以不改变现有花篮的齿间距，以保证良率，所以花篮和槽体尺寸都无需额外加长，可大大节约制造成本；本实用新型支持半片或者3切片，完美解决电池片切损问题，利于组件效率的提升。
基本信息
专利标题 ：
一种新型花篮结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022367892.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-22
授权号 ：
CN213184241U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
龚庆陈贤刚张蓉刘沉李杰
申请人 ：
南通圣威斯特能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区崇川路79号国际青创园1号楼15层2室
代理机构 ：
北京盛凡智荣知识产权代理有限公司
代理人 ：
李枝玲
优先权 ：
CN202022367892.2
主分类号 ：
H01L21/673
IPC分类号 ：
H01L21/673 H01L31/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/673
使用专用的载体的
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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