一种用于MPCVD设备的真空腔体
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于MPCVD设备的真空腔体，包括底座，底座的顶部设置有安装槽一，安装槽一的内侧壁上转动安装有转动轴，安装槽一内设置有螺纹杆，螺纹杆的固定安装在转动轴的顶部，底座上设置有套筒，套筒的内侧壁上设置有内螺纹，套筒套设在螺纹杆上，套筒的顶部设置有真空罐，真空罐的底部设置有安装槽二，真空罐通过安装槽二固定安装在套筒的顶部，真空罐的内侧壁上设置有内腔一，内腔一的内侧壁上设置有安装槽三，该一种用于MPCVD设备的真空腔体，便于使用，功能多样，具有良好的发展前景。
基本信息
专利标题 ：
一种用于MPCVD设备的真空腔体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022457430.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
CN213624368U
授权日 ：
2021-07-06
发明人 ：
王凯秦静
申请人 ：
美若科技有限公司
申请人地址 ：
山东省日照市五莲县市北经济开发区山河路57号
代理机构 ：
济南文衡创服知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘真
优先权 ：
CN202022457430.X
主分类号 ：
C23C16/27
IPC分类号 ：
C23C16/27 C23C16/44
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
C23C16/27
仅沉积金刚石
法律状态
2021-07-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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