一种基于Sb化物的中短波双色红外探测器
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于Sb化物的中短波双色红外探测器，该探测器包括GaSb衬底和沉积于GaSb衬底上的外延结构，外延结构从下至上包括：Te掺杂N型GaSb缓冲层，中波红外InAs/GaSb超晶格N型层，中波红外InAs/GaSb超晶格非故意掺杂吸收层，中波红外InAs/GaSb超晶格P型层，短波红外GaSb体材料P型层，短波红外GaSb体材料非故意掺杂吸收层，短波红外GaSb体材料N型层，采用NIPPIN型背靠背双二极管结构，可通过偏压调制使不同吸收通道处于工作模式，从而实现对短波红外和中波红外的分别探测，具有两个吸收通道，提高了抗干扰性和探测效果，采用两个厚度大于等于1.5μm的吸收层可提高吸收系数从而提高量子效率和探测率，且结构简单，制备工艺简单，可重复性强。
基本信息
专利标题 ：
一种基于Sb化物的中短波双色红外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022474611.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN213242573U
授权日 ：
2021-05-18
发明人 ：
马晓乐郭杰郝瑞亭艾尔肯·阿不都瓦衣提魏国帅孙帅辉方水柳李晓明王云鹏刘慧敏王国伟徐应强牛智川
申请人 ：
云南师范大学
申请人地址 ：
云南省昆明市一二一大街298号
代理机构 ：
广东中亿律师事务所
代理人 ：
杜海江
优先权 ：
CN202022474611.3
主分类号 ：
H01L31/105
IPC分类号 ：
H01L31/105 H01L31/032 H01L31/0352 H01L31/18
法律状态
2021-05-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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