一种双色红外器件结构及红外探测器
公开
摘要
本发明公开了一种双色红外器件结构及红外探测器，所述双色红外器件结构具有从下至上设置的第一衬底，材料为InSb，作为所述双色红外器件的基础层；过渡层，材料为InSb，作为缓冲层和下电极层；第一吸收层，材料为InSb，用以实现对第一波段的红外光的探测；复合势垒层包括从下至上设置的：第一势垒层，材料为InAlSb，含有第一梯度组分的Al，且第一梯度组分从0％过渡到第一组分；第二势垒层，材料为InAlSb，含有第一组分的Al；第二吸收层，材料为InAsSb，含有第二组分的As，用以实现对第二波段的红外光的探测，且第二波段的波长大于第一波段的波长。本公开的方案通过设计双层势垒层结构将两个吸收层之间的晶格失配控制在势垒层来避免应力对器件性能的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种双色红外器件结构及红外探测器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300566A
申请号 ：
CN202111453019.8
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周朋胡雨农王丹李震
申请人 ：
中国电子科技集团公司第十一研究所
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路4号
代理机构 ：
工业和信息化部电子专利中心
代理人 ：
田卫平
优先权 ：
CN202111453019.8
主分类号 ：
H01L31/103
IPC分类号 ：
H01L31/103 H01L31/0304
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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