接合底材与金属层的接合体
公开
摘要
本发明提供一种接合底材与金属层的接合体，当将金属层接合于接合底材时，该金属层的贴紧力较强，其贴紧力的偏差也较小，而且能够以较低成本实现接合。即，本发明为将金属层(5)借由形成于接合底材(1)的接合面的中间层覆盖膜(2)接合于接合底材(2)的接合底材(1)与金属层(5)的接合体，中间层覆盖膜(2)被熔接于接合底材(1)的接合面，同时在中间层覆盖膜(2)中分散埋入有通过锚定效果接合金属层(5)的锚形成物(3)，锚形成物(3)的一部分从中间层覆盖膜(2)向外突出，同时被熔接于中间层覆盖膜(2)，金属层(5)被接合于中间层覆盖膜(2)的表面及从中间层覆盖膜(2)向外突出的锚形成物(3)的表面。
基本信息
专利标题 ：
接合底材与金属层的接合体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270483A
申请号 ：
CN202080048338.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-04-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林田英德松尾英志広山幸久林田洋之
申请人 ：
株式会社世界金属
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙雪
优先权 ：
CN202080048338.8
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52 H05K3/18 H05K3/24 H05K3/38
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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