半导体设备制造中的基本上不含碳的含钼和含钨膜
实质审查的生效
摘要
使用不含卤化物的金属有机前体将基本上不含碳的含钼和含钨膜沉积在半导体衬底上。前体不包括金属‑碳键、羰基配体，并且优选不包括β‑氢原子。沉积碳含量小于约5％原子，例如小于约3％原子的含金属膜，例如氮化钼、氧氮化钼、硅化钼和硼化钼。在一些实施方案中，通过使含金属前体与在衬底表面上的反应物在不存在等离子体的情况下(例如使用几个ALD循环)反应来沉积膜。在一些实施方案中，然后用等离子体中的第二反应物加工所形成的膜以改变其性质(例如，使膜致密，降低膜的电阻率，或增加其功函数)。该膜可用作pMOS设备中的衬里、扩散阻挡层和电极材料。
基本信息
专利标题 ：
半导体设备制造中的基本上不含碳的含钼和含钨膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114269970A
申请号 ：
CN202080059499.7
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-08-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
基莱·乔丹·布莱克内照健·史蒂文·黎托马斯·M·普拉特埃里克·H·伦茨詹森·史蒂文斯
申请人 ：
朗姆研究公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海胜康律师事务所
代理人 ：
李献忠
优先权 ：
CN202080059499.7
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50 C23C16/455 C23C16/34 C23C16/30 C23C16/38 C23C16/42 C23C16/02 C23C16/06 H01L21/285 H01L21/28 H01L21/768
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/50
申请日 : 20200810
申请日 : 20200810
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
