用于对光敏记录介质进行曝光的方法和曝光装置
公开
摘要
本发明涉及借助于曝光装置(11)对光敏记录介质(14)进行曝光的方法,该曝光装置(11)包括:处理室(35)中的至少一个曝光头(16),用于对记录介质(14)进行曝光;至少一个支撑件(12),至少一个记录介质(14)被定位在该至少一个支撑件上并随后被插入处理室(35)中;至少一个图像捕获设备(25),该至少一个图像捕获设备(25)在记录介质(14)的插入方向上被布置在所述至少一个曝光头(16)的上游;以及控制器(27),该控制器对记录介质(14)的实际定位和/或实际位置进行捕获或者对记录介质(14)上的至少一个表示(21)的实际定位和/或实际位置进行捕获,并且根据记录介质(14)的存储目标定位对至少一个曝光头(16)进行控制以用于曝光;以及支撑件(12)是连续的传送带(32),至少一个记录介质(14)放置在传送带(32)上,借助于传送带(32)将至少一个记录介质(14)从处理室(35)外部的装载站(41)至少移入处理室(35);以及至少一个第一真空室(43)在装载站(41)中与传送带(32)相关联,并且至少一个第二真空室(44)在处理室(35)中与传送带相关联,借助于控制器对该第一真空室和该第二真空室进行单独地控制。
基本信息
专利标题 :
用于对光敏记录介质进行曝光的方法和曝光装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114270272A
申请号 :
CN202080059698.8
公开(公告)日 :
2022-04-01
申请日 :
2020-07-31
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
罗宾·帕甘
申请人 :
密华科技有限公司
申请人地址 :
德国舍奈希
代理机构 :
成都超凡明远知识产权代理有限公司
代理人 :
曹桓
优先权 :
CN202080059698.8
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20 G03F9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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