基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的曝光方法及其电路
授权
摘要
本发明公开了一种基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的曝光方法及其电路，包括复合介质栅双晶体管光敏探测器构成的阵列，复合介质栅双晶体管光敏探测器包括MOS‑C部分和MOSFET部分。技术方案中包括全局曝光和卷帘曝光两种曝光方式：(1)通过让每一行依次进行曝光和读取的方式，实现了基于复合介质栅双晶体管光敏探测器阵列的卷帘曝光，(2)通过在像素内添加电荷转移单元、电荷存储单元和电荷复位单元，实现了基于复合介质栅双晶体管光敏探测器阵列的全局曝光。本发明为复合介质栅双晶体管光敏探测器阵列提供了拍摄高质量静态图像和动态图像的方法。
基本信息
专利标题 ：
基于复合介质栅双晶体管光敏探测器的曝光方法及其电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111147772A
申请号 ：
CN201911257874.4
公开（公告）日 ：
2020-05-12
申请日 ：
2019-12-10
授权号 ：
CN111147772B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
马浩文王凯李张南
申请人 ：
南京威派视半导体技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区麒麟高新技术产业开发区天骄路100号9号楼801
代理机构 ：
江苏法德东恒律师事务所
代理人 ：
李媛媛
优先权 ：
CN201911257874.4
主分类号 ：
H04N5/353
IPC分类号 ：
H04N5/353 H04N5/355 H04N5/369 H01L27/146
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-06-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04N 5/353
申请日 : 20191210
申请日 : 20191210
2020-05-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
