光刻设备、量测系统和具有结构化照射的照射系统
实质审查的生效
摘要
一种系统(500)，包括照射系统(502)、透镜元件(506)和检测器(504)。所述照射系统产生辐射束(510)，该辐射束在光瞳平面(528)处具有第一空间强度分布(800)以及在目标(514)的平面处具有第二空间强度分布(900)。所述第一空间强度分布包括环形强度轮廓(802)或与三个或更多个束对应的强度轮廓。所述透镜元件将所述束聚焦到所述目标上。所述第二空间强度分布与所述第一强度分布是共轭的，并且具有与中心束(902)以及与所述中心束基本上隔离的一个或更多个旁瓣(904)对应的强度轮廓。所述中心束在所述目标处具有约20微米或更小的束直径。所述检测器接收由所述目标散射的辐射并且基于所接收的辐射产生测量信号。
基本信息
专利标题 ：
光刻设备、量测系统和具有结构化照射的照射系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114514474A
申请号 ：
CN202080067332.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林宇翔J·亚当斯T·M·T·A·M·埃拉扎里K·肖梅
申请人 ：
ASML控股股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰维德霍温
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张启程
优先权 ：
CN202080067332.5
主分类号 ：
G03F7/20
IPC分类号 ：
G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20200914
申请日 : 20200914
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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