用于半导体晶片固持器的热扩散器
公开
摘要
通过将扩散器层沉积到静电盘上并移除扩散器层的区域以形成由间隙分离的分立的扩散器段来形成静电卡盘。分立的扩散器段可以限定连续的同心环、不连续的同心环、或连续的同心环和不连续的同心环的组合。通过在扩散器层中形成至少一个沟槽来将分立的扩散器段彼此分离。沟槽可以部分延伸穿过扩散器层、完全延伸穿过扩散器层到达静电盘、或者具有部分延伸穿过扩散器层的第一部分和完全延伸穿过扩散器层的第二部分。而且，沟槽可以具有恒定宽度或具有可变宽度。
基本信息
专利标题 ：
用于半导体晶片固持器的热扩散器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114521288A
申请号 ：
CN202080067700.6
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
章三红凯文·帕塔斯恩斯基马丁·沃林格布莱克·帕金森
申请人 ：
沃特洛电气制造公司
申请人地址 ：
美国密苏里州圣路易斯拉克兰路12001
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘晔
优先权 ：
CN202080067700.6
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67 H05B3/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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