点光源型发光二极管及其制造方法
实质审查的生效
摘要
提供一种能够简化制造工序且能够降低发光图案中的来自光释放窗之外的发光的点光源型发光二极管及其制造方法。本发明的点光源型发光二极管具备：基板、n型包层、发光层、p型包层、具有开口部的n型电流局限层、设置在前述n型电流局限层上的p型接触层、以及具有光释放窗的p型电极，所述光释放窗的中心与前述开口部相同，前述光释放窗的窗开口宽度的大小为前述开口部的开口宽度以上，前述点光源型发光二极管具有在厚度方向上从前述p型接触层至前述发光层的氢离子注入部，前述发光层具有非注入区域和氢离子注入区域，所述非注入区域的中心与前述光释放窗相同且具有比前述光释放窗的开口宽度大的区域宽度，所述氢离子注入区域包围前述非注入区域。
基本信息
专利标题 ：
点光源型发光二极管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503291A
申请号 ：
CN202080069775.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-10-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岩田雅年进藤成树
申请人 ：
同和电子科技有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202080069775.8
主分类号 ：
H01L33/14
IPC分类号 ：
H01L33/14 H01L33/38
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/14
申请日 : 20201001
申请日 : 20201001
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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