一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法
公开
摘要
本发明涉及一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法，其技术方案的要点是超辐射发光二极管包括巴条，所述巴条包括从下到上依次设置的N‑GaAs衬底层、N‑GaAs缓冲层、N‑AlGaAs下包层、GaAs下波导层、In(Ga)As量子点有源区、GaAs上波导层、P‑AlGaAs上包层、P+‑GaAs欧姆接触层；所述巴条的顶面设置有与巴条中心面倾斜相交的脊型波导；所述巴条的前腔面设置有中心波长为1000nm的ZrO2增透膜涂层；所述巴条的后腔面设置有若干对中心波长为880nm的Ta2O5/SiO2高反射涂层；制造方法包括，步骤S1,外延结构生长；步骤S2,脊型波导蚀刻加工；步骤S3,电极加工；步骤S4，光学镀膜加工；本发明的超辐射发光二极管能够同时具有高功率和宽光谱的特性，能够良好的适用于OCT系统等非相干光学系统。
基本信息
专利标题 ：
一种三态发光量子点超辐射发光二极管及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597292A
申请号 ：
CN202210359299.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2022-04-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张子旸姚中辉陈红梅蒋成王洪培
申请人 ：
青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请人地址 ：
山东省青岛市胶州市上合示范区闽江路60号
代理机构 ：
青岛申达知识产权代理有限公司
代理人 ：
蒋遥明
优先权 ：
CN202210359299.4
主分类号 ：
H01L33/06
IPC分类号 ：
H01L33/06 H01L33/46 H01L33/00
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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