利用划割道图案来减少缺陷的集成电路
公开
摘要
在实例中，一种制造集成电路的方法包括将光掩模定位于光源与半导体晶片之间，所述半导体晶片在所述晶片的晶片划割道中具有光致抗蚀剂层，其中所述光掩模包括：第一掩模划割道图案；第二掩模划割道图案，其匹配所述第一掩模划割道图案；及所述集成电路的至少一个电路图案，其位于所述第一与第二掩模划割道图案之间(802)。所述方法进一步包含照明所述光掩模以在所述晶片划割道的所述光致抗蚀剂层中产生对应于所述第二掩模划割道图案的第一经曝光部分(804)；将所述第一掩模划割道图案定位于所述光源与所述第一经曝光部分之间(806)；及照明所述光掩模，其中所述第一掩模划割道图案大体上屏蔽所述晶片划割道的所述光致抗蚀剂层的未曝光部分以免于曝光(808)。
基本信息
专利标题 ：
利用划割道图案来减少缺陷的集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600231A
申请号 ：
CN202080074719.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-10-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·萨利纳斯W·K·麦克唐纳S·A·约翰内斯梅耶尔R·P·勒金S·A·迈斯纳
申请人 ：
德州仪器公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林斯凯
优先权 ：
CN202080074719.3
主分类号 ：
H01L21/70
IPC分类号 ：
H01L21/70 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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