用于减少极紫外图案掩模上的可印缺陷的系统及方法
公开
摘要
本发明公开一种用于减少图案掩模上的可印缺陷的系统。所述系统包含经配置以通信地耦合到特性化子系统的控制器，所述控制器包含经配置以执行程序指令的一或多个处理器，所述程序指令引起所述一或多个处理器：引导所述特性化子系统执行掩模坯料的检测；基于第一特性及第二特性产生成本函数，所述第一特性包括由掩模图案暴露的缺陷区域的面积，所述第二特性包括设计图案的图案复杂性；经由非线性优化程序确定指示所述成本函数的最小值的一或多个值；及基于指示所述成本函数的所述最小值的所述经确定一或多个值产生用以调整所述掩模坯料相对于所述设计图案的旋转及平移的一或多个控制信号。
基本信息
专利标题 ：
用于减少极紫外图案掩模上的可印缺陷的系统及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556208A
申请号 ：
CN202080070814.6
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨晓春V·托拉尼张峣
申请人 ：
科磊股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘丽楠
优先权 ：
CN202080070814.6
主分类号 ：
G03F1/24
IPC分类号 ：
G03F1/24 G03F1/68 G03F1/70 G03F1/72 G03F1/84
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/22
用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如X射线掩膜、深紫外掩膜；其制备
G03F1/24
反射掩膜；其制备
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
