激光结晶用的光掩模图案结构与阵列
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种激光结晶用的光掩模图案结构与阵列，用以控制由连续性侧向长晶(Sequential Lateral Solidification；SLS)技术所形成的低温多晶硅中的结晶副晶界的宽度。本发明为于光栅(slit)的相对两侧边上分别形成第一连续波状结构和第二连续波状结构，此相对两侧边大致与晶粒(Grain)成长方向垂直，本发明通过此相对两侧边的间距距离，使得结晶顺序不同及晶种位置不同，以控制晶粒的宽度。
基本信息
专利标题 ：
激光结晶用的光掩模图案结构与阵列
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1811592A
申请号 ：
CN200610009270.4
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2006-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙铭伟
申请人 ：
友达光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610009270.4
主分类号 ：
G03F1/00
IPC分类号 ：
G03F1/00 H01L21/00 H01L21/20 H01L21/324 C30B1/02 C30B29/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
法律状态
2011-08-31 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101180717114
IPC(主分类) : G03F 1/00
专利申请号 : 2006100092704
公开日 : 20060802
号牌文件序号 : 101180717114
IPC(主分类) : G03F 1/00
专利申请号 : 2006100092704
公开日 : 20060802
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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