包括非晶氮化硼膜的硬掩模和制造所述硬掩模的方法、以及使用...
公开
摘要
提供包括非晶氮化硼膜的硬掩模和制造所述硬掩模的方法、以及使用所述硬掩模的图案化方法。所述硬掩模提供在基材上且用于将所述基材图案化的工艺，并且所述硬掩模包括非晶氮化硼膜。
基本信息
专利标题 ：
包括非晶氮化硼膜的硬掩模和制造所述硬掩模的方法、以及使用所述硬掩模的图案化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597123A
申请号 ：
CN202110799218.8
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-07-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
申铉振崔太镇
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王华芹
优先权 ：
CN202110799218.8
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033 H01L21/027 H01L21/311
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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