长量程光学自参考位移传感器

授权

摘要

本发明公开长量程光学自参考位移传感器，包括由上至下依次的金膜层、上玻璃层、间隙层、下玻璃层和硅基底，金膜层用于通过电流，所述金膜层的厚度为100nm，所述金膜层上蚀刻有双纳米孔，双纳米孔包括两个相交的圆形纳米孔，所述双纳米孔下方的间隙层中对应设置有两个并排排列的效应块，该效应块为金纳米块。在电磁波垂直照射下，本发明的结构在激发anapole模式的对应波长处会表现出反射率急剧减小，利用这一模式，通过测量该结构反射光谱的变化来间接反映待测物体的位移，从而实现位移的探测。

基本信息

专利标题：

长量程光学自参考位移传感器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112857232A

申请号：

CN202110371245.5

公开（公告）日：

2021-05-28

申请日：

2021-04-07

授权号：

CN112857232B

授权日：

2022-06-07

发明人：

武京治王艳红杨恒泽李孟委

申请人：

中北大学

申请人地址：

山西省太原市学院路3号

代理机构：

厦门市天富勤知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

唐绍烈

优先权：

CN202110371245.5

主分类号：

G01B11/02

IPC分类号：

G01B11/02