具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法

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摘要

本发明公开了具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法，包括承压薄膜、双C型槽、硅基底、压敏电阻条、金属引线和防过载玻璃基底。硅基底背面深硅刻蚀形成承压薄膜以及半岛与岛屿结构，在硅基底正面刻蚀两组C型槽。相对应的两个C型槽之间形成应力集中区域，四个压敏电阻条布置在该应力集中区域上。芯片背腔的岛屿与岛屿之间、岛屿与半岛之间的间隙可以进一步提高压敏电阻条处的应力集中效果。

基本信息

专利标题：

具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113218544A

申请号：

CN202110462410.8

公开（公告）日：

2021-08-06

申请日：

2021-04-27

授权号：

CN113218544B

授权日：

2022-06-07

发明人：

赵立波李学琛韩香广乔智霞皇咪咪李伟徐廷中杨萍高漪王鸿雁关卫军吴永顺李支康朱瑄王久洪魏于昆山涛蒋庄德

申请人：

西安交通大学;陕西省计量科学研究院;西安航天动力研究所

申请人地址：

陕西省西安市咸宁西路28号

代理机构：

西安通大专利代理有限责任公司

代理人：

王艾华

优先权：

CN202110462410.8

主分类号：

G01L1/18

IPC分类号：

G01L1/18 G01L9/06 G01L19/00 B81B7/02 B81C1/00