本发明公开了一种微压MEMS压力传感器芯片及制备方法，属于敏感元件与传感器领域。所述芯片包括：SOI硅基体，在所述SOI硅基体的下表面刻蚀背腔形成方形压力隔膜，所述压力隔膜的上表面与下表面设有相同的凸起，上下表面的凸起结构形成所述压力隔膜上的岛结构，并通过所述压力隔膜上表面的单梁结构连接。本发明通过单梁多岛的结构设计，解决了现有微压传感器芯片灵敏度和线性度较差的问题，经过与现有技术的对比，结果证明，本发明的微压传感器可以在较小的芯片面积下，同时得到更高的灵敏度和线性度；且本发明在尺寸设计上更加灵活，更易于集成，有利于缩减制备成本。