一种基于III-V族化合物半导体工艺的宽带有源移相器
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摘要
本发明提供一种基于III‑V族化合物半导体工艺的宽带有源移相器，属于集成电路技术领域。该移相器提出偏置运算单元以解决III‑V族化合物半导体工艺无法应用经典移相器结构的问题，即吉尔伯特偏置运算单元通过CCVS单元将I/Q两路电流转换成晶体管基极电压，再通过VCCS单元控制晶体管作差运算转换得到数控电流叠加单元输出的I/Q电流比值关系，最后偏置电流控制单元完成对I/Q正交信号合成矢量的象限选择及模拟加法器的电流控制，实现了吉尔伯特单元尾电流的精准调控；并同时提出有源跨导‑结电容多相滤波(gm‑Cbc PPF)结构增强移相器的带宽，最终可实现n bit的相位精度控制，且具有移相精度高、插入损耗低、面积小、工作带宽大且可调等优势。
基本信息
专利标题 ：
一种基于III-V族化合物半导体工艺的宽带有源移相器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113452345A
申请号 ：
CN202110664157.4
公开（公告）日 ：
2021-09-28
申请日 ：
2021-06-16
授权号 ：
CN113452345B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
陈雪蕾游飞何倩马明明吴雯祺秦荣兴陈茵王瑜
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
吴姗霖
优先权 ：
CN202110664157.4
主分类号 ：
H03H11/16
IPC分类号 ：
H03H11/16
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2021-10-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 11/16
申请日 : 20210616
申请日 : 20210616
2021-09-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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