一种替硝唑工艺杂质及其合成方法
授权
摘要
本发明涉及化学合成技术领域，具体公开一种替硝唑工艺杂质及其合成方法。所述替硝唑工艺杂质的结构如式(Ⅰ)所示，合成方法包括如下步骤：以4‑硝基咪唑和羟基乙硫醚为原料，以苯类化合物为溶剂，在浓硫酸的作用下进行缩合反应，得式(Ⅱ)所示的化合物；式(Ⅱ)所示的化合物在可溶性钼酸盐的催化作用下，经双氧水氧化，得式(Ⅰ)所示的替硝唑工艺杂质。本发明通过特定的合成工艺，制备得到了纯度可达99.7％以上的替硝唑工艺杂质，解决了替硝唑工艺杂质对照品来源的问题，有利于进一步完善替硝唑原料药或其制剂的质量标准。
基本信息
专利标题 ：
一种替硝唑工艺杂质及其合成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113683569A
申请号 ：
CN202110998497.0
公开（公告）日 ：
2021-11-23
申请日 ：
2021-08-27
授权号 ：
CN113683569B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
孙立杰石红超田鹏美魏赛丽张伟丽延春霞张雪彤孙朝振
申请人 ：
河北广祥制药有限公司
申请人地址 ：
河北省沧州市临港开发区西区、经六路东侧
代理机构 ：
河北国维致远知识产权代理有限公司
代理人 ：
庞玉净
优先权 ：
CN202110998497.0
主分类号 ：
C07D233/94
IPC分类号 ：
C07D233/94 G01N30/02 G01N30/06 G01N30/86
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C07
有机化学
C07D
杂环化合物
C07D233/00
杂环化合物，含1,3-二唑或氢化1,3-二唑环、不与其他环稠合
C07D233/54
环原子间或环原子与非环原子间有两个双键
C07D233/66
有杂原子或有以3个键连杂原子、其中最多以1个键连卤素的碳原子，例如，酯基或腈基，直接连在环碳原子上
C07D233/91
硝基
C07D233/92
连在位置4或5
C07D233/94
有被氧或硫原子取代的烃基，连在其他环原子上
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2021-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C07D 233/94
申请日 : 20210827
申请日 : 20210827
2021-11-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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