本发明提出一种高洁净无损转移石墨烯纳米带的方法，在Mica基底生长一定厚度的Au（111）层，获得Au（111）/Mica生长基底；使用CVD生长工艺在Au（111）面上生长满单层的N=7 GNR，获得N=7 GNR/Au（111）/Mica样品，使用薄刀片在生长有石墨烯纳米带的N=7 GNR/Au（111）/Mica样品的Au（111）镀层面外围轻划一下，破坏表层无定形碳膜层的完整性，然后使用软毛刷粘取一定浓度的弱刻蚀能力的碘化钾碘溶液轻刷几次，使表面无定型碳膜层脱落，同时使N=7 GNR/Au（111）层裸露出来，方便后续Mica基底与Au（111）镀层分离。转移过程中，没有使用高分子材料作为支撑膜辅助转移，实现转移过程中石墨烯纳米带无杂质、缺陷引入。同时通过有目的性地去除无定形碳层，实现石墨烯纳米带的快速转移。