用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统
公开
摘要
公开了在特征的侧壁上形成氮化硅的方法。示例性方法包括：提供衬底，该衬底包括具有侧壁表面和邻近侧壁表面的表面的特征；形成覆盖侧壁表面和邻近侧壁表面的表面的氧化硅层；使用循环沉积过程，沉积覆盖氧化硅层的氮化硅层；以及将氮化硅层暴露于由含氢气体产生的活性物质。示例性方法还可以包括选择性地去除氮化硅层的一部分。还公开了使用该方法形成的结构和用于执行该方法的系统。
基本信息
专利标题 ：
用于在特征的侧壁上形成氮化硅的方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388427A
申请号 ：
CN202111149986.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
久保田智广上田真也
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111149986.5
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 C23C16/34 C23C16/455
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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