用化学机械研磨形成铝特征图案的方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种利用化学机械研磨配合蚀刻制程形成金属铝特征图案的方法，在半导体工业中，一般用反应性离子蚀刻形成铝特征图案，这是一种成熟的工艺，但是其中同样存在许多缺点，例如氧化物层凹陷、氧化物残余缺陷等。采用本发明的方法，一方面可以保证蚀刻形成镜面的过程快速有效，另一方面，由于最后采用修饰性化学机械研磨方法，进一步提高了所形成镜面的质量。采用本发明的方法，不会有氧化物层凹陷或者氧化物残余缺陷的情况出现。

基本信息

专利标题：

用化学机械研磨形成铝特征图案的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1941295A

申请号：

CN200510030011.5

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2005-09-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

俞昌

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510030011.5

主分类号：

H01L21/321

IPC分类号：

H01L21/321 H01L21/768

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3205

非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理

H01L21/321

后处理

法律状态

2019-09-17 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/321
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20091028
终止日期 : 20180926

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259513183
IPC(主分类) : H01L 21/321
专利号 : ZL2005100300115
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2009-10-28 ：

授权

2007-05-30 ：

实质审查的生效

2007-04-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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