形成具有伪特征的半导体器件的方法

专利权的视为放弃

摘要

一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：确认包括有源器件区(16、42)的区域，其中所述区域在第一位置(11)处具有周界(11)，并且有源器件区的至少一部分边缘与至少一部分所述周界重合，使该周界扩展到离开第一位置的第一距离(13)，其中所述第一距离定义了伪特征(26、28、30、52)的第一点，确定伪特征的第二点，使用该第一点和该第二点将伪特征添加到版图(10、40)，并且使用该版图形成半导体器件中的层。

基本信息

专利标题：

形成具有伪特征的半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101341595A

申请号：

CN200580052325.3

公开（公告）日：

2009-01-07

申请日：

2005-12-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

凯文·卢卡斯罗伯特·布恩朱迪恩·米勒托马·雷纳伊维斯·罗迪

申请人：

飞思卡尔半导体公司

申请人地址：

美国得克萨斯

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

黄启行

优先权：

CN200580052325.3

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L21/321