形成氮化硅（SiN）膜和具有SiN膜的半导体器件的方法
授权
摘要
本发明披露了一种用于氮化物半导体材料的低压化学气相沉积(LPCVD)技术的顺序。所述顺序包括如下步骤：将炉内温度设定为750℃至900℃；将炉内气氛置换为氨气(NH3)；在初始压力下，通过供给二氯硅烷(SiH2Cl2)从而沉积SiN膜；随后在高于初始压力的沉积压力下沉积SiN膜。本发明的顺序的特征为：初始压力高于沉积压力的至少60％。
基本信息
专利标题 ：
形成氮化硅（SiN）膜和具有SiN膜的半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109881177A
申请号 ：
CN201811486114.6
公开（公告）日 ：
2019-06-14
申请日 ：
2018-12-06
授权号 ：
CN109881177B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
住吉和英
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
张苏娜
优先权 ：
CN201811486114.6
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/455 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-08-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/34
申请日 : 20181206
申请日 : 20181206
2019-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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