存储器装置
公开
摘要

存储器装置包括:单元区域,在单元区域中设置了多条字线、多条位线以及连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元,多个存储器单元中的每一个包括彼此串联连接的双向阈值开关元件和存储器元件;以及外围电路区域,其包括至少一个外围电路,至少一个外围电路被配置为将导通双向阈值开关元件的第一刷新电压输入到多个存储器单元之中的至少一些刷新单元中的每一个以执行刷新操作,在导通双向阈值开关元件的同时将刷新单元中的每一个确定为处于第一状态的第一刷新单元或者处于第二状态的第二刷新单元,并且将与第一刷新电压不同的第二刷新电压输入到第二刷新单元。

基本信息
专利标题 :
存储器装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114360608A
申请号 :
CN202111197075.X
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-10-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
曹成奎
申请人 :
三星电子株式会社
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 :
赵南
优先权 :
CN202111197075.X
主分类号 :
G11C16/04
IPC分类号 :
G11C16/04  G11C16/16  G11C16/24  G11C8/08  G11C8/14  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的,例如,FAMOS
法律状态
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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