一种能够抑制寄生的纵向BCD器件及其制备方法
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摘要
本发明提供一种能够抑制寄生的纵向BCD器件及其制备方法。主要解决现有DMOSFET漏极区占用面积大、导通电阻较大以及VDMOSFET兼容性较差的问题。该纵向BCD器件在CMOS器件区域增加深P阱HVPW和P型埋层PBL，使得HVPW、PBL与N型外延层N‑EPI之间形成二极管，当VDMOSFET器件正常工作时，使得N‑EPI与HVPW、PBL之间形成的二极管反向截止，不能出现反向击穿，该种设置避免了VDMOSFET的漏极加电压时对BCD器件中的CMOS器件造成的影响，同时PBL埋层作为BCD器件中寄生管NPN晶体管的基区，可通过调节其浓度来抑制寄生管NPN晶体管的导通。
基本信息
专利标题 ：
一种能够抑制寄生的纵向BCD器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113690319A
申请号 ：
CN202111237760.0
公开（公告）日 ：
2021-11-23
申请日 ：
2021-10-25
授权号 ：
CN113690319B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
刘雯娇杨世红
申请人 ：
陕西亚成微电子股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区科技二路68号西安软件园汉韵阁A座301室
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
郑丽红
优先权 ：
CN202111237760.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336 H01L21/8249 H01L29/06 H01L27/06
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-12-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20211025
申请日 : 20211025
2021-11-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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