可抑制寄生双极晶体管的高功率半导体装置
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种可抑制寄生双极晶体管的高功率半导体装置。其主要包含第一传导型漏极(Drain)区域；形成于该传导型漏极区域上的第一传导型外延(epitaxial)区域；形成于该外延区域表面上的数个第二传导型基底区域；形成于该各基底区域表面上的至少一个第一传导型源极(Source)区域；形成于该各基底区域表面而与该源极区域重叠且至少其一端长于该源极区域一端的源电极(source electrode)接触区域；以及与该源电极接触区域交错设置且设置于该基底区域与该外延区域上的数个栅极(gate)电极。
基本信息
专利标题 ：
可抑制寄生双极晶体管的高功率半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1874002A
申请号 ：
CN200510124128.X
公开（公告）日 ：
2006-12-06
申请日 ：
2005-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
全珖延李太先李廷浩金钟旼金埈铉
申请人 ：
敦南科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200510124128.X
主分类号 ：
H01L29/772
IPC分类号 ：
H01L29/772 H01L27/085
法律状态
2012-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101180109812
IPC(主分类) : H01L 29/772
专利号 : ZL200510124128X
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20081105
终止日期 : 20101125
号牌文件序号 : 101180109812
IPC(主分类) : H01L 29/772
专利号 : ZL200510124128X
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20081105
终止日期 : 20101125
2008-11-05 ：
授权
2007-01-31 ：
实质审查的生效
2006-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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