寄生式LDMOS器件及其制作方法
授权
摘要
本发明提供一种寄生式LDMOS器件及其制作方法,其中,所述寄生式LDMOS器件包括:衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层中的LDMOS器件和肖特基二极管。通过设计一种肖特基二极管的接入可控的结构,使得肖特基二极管的电流只在需要形成续流时才会由漂移区导通至LDMOS的漏极,而在非工作状态下,肖特基二极管将被隔离,从而杜绝肖特基二极管的对LDMOS器件带来的不利影响,克服现有技术中存在的不足。
基本信息
专利标题 :
寄生式LDMOS器件及其制作方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111969064A
申请号 :
CN202010999539.8
公开(公告)日 :
2020-11-20
申请日 :
2020-09-22
授权号 :
CN111969064B
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
葛薇薇
申请人 :
杰华特微电子(杭州)有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
代理机构 :
杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
唐灵
优先权 :
CN202010999539.8
主分类号 :
H01L29/78
IPC分类号 :
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-04-15 :
授权
2021-05-11 :
著录事项变更
IPC(主分类) : H01L 29/78
变更事项 : 申请人
变更前 : 杰华特微电子(杭州)有限公司
变更后 : 杰华特微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
变更后 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
变更事项 : 申请人
变更前 : 杰华特微电子(杭州)有限公司
变更后 : 杰华特微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
变更后 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
2020-12-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20200922
申请日 : 20200922
2020-11-20 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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