寄生式LDMOS器件及其制作方法

授权

摘要

本发明提供一种寄生式LDMOS器件及其制作方法，其中，所述寄生式LDMOS器件包括：衬底、形成于所述衬底上的外延层、形成于所述外延层中的LDMOS器件和肖特基二极管。通过设计一种肖特基二极管的接入可控的结构，使得肖特基二极管的电流只在需要形成续流时才会由漂移区导通至LDMOS的漏极，而在非工作状态下，肖特基二极管将被隔离，从而杜绝肖特基二极管的对LDMOS器件带来的不利影响，克服现有技术中存在的不足。

基本信息

专利标题：

寄生式LDMOS器件及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111969064A

申请号：

CN202010999539.8

公开（公告）日：

2020-11-20

申请日：

2020-09-22

授权号：

CN111969064B

授权日：

2022-04-15

发明人：

葛薇薇

申请人：

杰华特微电子(杭州)有限公司

申请人地址：

浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

代理机构：

杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

唐灵

优先权：

CN202010999539.8

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336

法律状态

2022-04-15 ：

授权

2021-05-11 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : H01L 29/78
变更事项 : 申请人
变更前 : 杰华特微电子(杭州)有限公司
变更后 : 杰华特微电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室
变更后 : 310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室

2020-12-08 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20200922

2020-11-20 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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