半导体装置用嵌件壳体的制造方法及半导体装置
实质审查的生效
摘要
得到能够提高可靠性的半导体装置用嵌件壳体的制造方法及半导体装置。将端子(2)设置于模具(16)、(17)的内部，使滑动型芯(18)移动而与端子(2)的中央部(2a)接触，将端子(2)的中央部(2a)固定。在通过滑动型芯(18)将端子(2)的中央部(2a)固定的状态下向模具(16)、(17)的内部填充树脂(3)而对嵌件壳体(1)进行成型。使滑动型芯(18)与端子(2)分离，从模具(16)、(17)取出嵌件壳体(1)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置用嵌件壳体的制造方法及半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520151A
申请号 ：
CN202111350498.0
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
益本宽之
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN202111350498.0
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/04 H01L23/10 B29C39/10 B29C45/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20211115
申请日 : 20211115
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
