受激辐射损耗显微镜及其显微成像系统
实质审查的生效
摘要

本公开提供一种受激辐射损耗显微镜及其显微成像系统,所述显微成像系统包括位移台和位相板,位移台用于承载样品;位相板用于对垂直入射的第一光束和第二光束同时进行相位调制和汇聚,使得所述第一光束和所述第二光束经过所述位相板后,分别在所述显微镜的焦面处形成第一光斑和第二光斑,所述第一光斑和所述第二光斑的中心严格重合;其中,所述第一光束和所述第二光束的重叠区域可覆盖所述位相板。相较于现有技术,本公开的位相板具有小型化可聚焦多波长的特点,以纯相位调制型位相板代替了物镜,避免了物镜对光能量的损耗,提高了光强利用率。

基本信息
专利标题 :
受激辐射损耗显微镜及其显微成像系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114324156A
申请号 :
CN202111370601.8
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-11-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
袁景和田展方晓红
申请人 :
中国科学院化学研究所
申请人地址 :
北京市海淀区中关村北一街2号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
谷波
优先权 :
CN202111370601.8
主分类号 :
G01N21/01
IPC分类号 :
G01N21/01  G01N21/64  G02B21/06  G02B21/16  G02B21/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01N
借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料
G01N21/00
利用光学手段,即利用亚毫米波、红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料
G01N21/01
便于进行光学测试的装置或仪器
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01N 21/01
申请日 : 20211118
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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