DTSCR器件和电子设备
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种DTSCR器件和电子设备。DTSCR器件包括依次层叠设置的基板、埋氧化层和P型衬底，在P型衬底上沿第一方向依次设置有预设P+掺杂区、预设N+掺杂区和多个N阱区，多个N阱区在第一方向上依次连接，预设N+掺杂区在第一方向的部分区域构成预设N阱区，预设N阱区在第二方向上相对预设N+掺杂区部分设置，预设N阱区的总体积与N阱区的数量相关联，其中，预设P+掺杂区和预设N+掺杂区均为源区。本申请通过在本征SCR的N+掺杂区引入N阱区，实现本征SCR的预设P+掺杂区的电阻的增加，进而降低本征SCR开启所需要的ESD电流，达到削弱寄生SCR电流泄放作用降低本征SCR的开启延迟，从而彻底抑制DTSCR的二次触发。
基本信息
专利标题 ：
DTSCR器件和电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361156A
申请号 ：
CN202111402639.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡毅李德建王源张立忠申子龙陈晓刚
申请人 ：
北京智芯微电子科技有限公司;北京大学;国网信息通信产业集团有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
申请人地址 ：
北京市昌平区南邵镇南中路电网产业大厦
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
花丽
优先权 ：
CN202111402639.9
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20211119
申请日 : 20211119
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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