HEMT器件、晶圆、封装器件及电子设备
公开
摘要
本申请适用于半导体技术领域，提供了一种HEMT器件、晶圆、封装器件及电子设备，HEMT器件包括：衬底、氮化物外延层、栅极结构层、场板层、第一漏电极、第二漏电极和第一绝缘介质层；栅极结构层包括第一半导体层，第一绝缘介质层覆盖栅极结构层的第二表面和部分第一表面，第一绝缘介质层的厚度小于第一半导体层的厚度；场板层包括：第一栅场板GFP和第一GFP延伸金属，第一GFP覆盖栅极结构层的部分第一表面、以及第一绝缘介质层的第二表面和部分第一表面，第一GFP延伸金属对称分布在第一GFP两侧，并覆盖第一绝缘介质层的部分第一表面。可以在实现双向关断的同时优化沟道电场，可以进一步缩小HEMT器件的元胞尺寸、降低器件的沟道电阻，进而减小HEMT器件的导通阻抗。
基本信息
专利标题 ：
HEMT器件、晶圆、封装器件及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628512A
申请号 ：
CN202011475578.4
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王怀锋黄松张栋梁谭银炯胡善柏
申请人 ：
华为技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵倩
优先权 ：
CN202011475578.4
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/06 H01L21/335 H01L29/417 H01L29/423
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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