本发明属于光刻机技术领域，具体涉及一种光刻机及其气压控制及监测系统和方法，光刻机气压控制及监测系统包括全量程真空规组件、薄膜真空规组件和真空泵组。全量程真空规组件包括分别设置于主腔室、硅片台腔室、硅片传输腔室和掩模传输腔室的全量程真空规；薄膜真空规组件包括分别设置于主腔室、照明光学腔室、投影光学腔室、硅片台腔室、硅片传输腔室和掩模传输腔室的薄膜真空规；真空泵组包括主腔室真空泵、硅片台腔室真空泵、硅片传输腔室真空泵和掩膜传输腔室真空泵。本发明的光刻机气压控制及监测系统能够对光刻机的整个工作过程进行实时监测，并且能够在工艺操作期间精确地测量各个腔室的工艺气压。