一种低空洞率、高导热率纳米银导电胶烧结工艺
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种低空洞率、高导热纳米银导电胶烧结工艺，包括以下步骤：a、转印，将纳米银导电胶转移至载体形成覆盖区域；b、贴装，将硅片贴装在所述覆盖区域制备成样品，贴装过程中对硅片相对于覆盖区域进行画圈摩擦操作；c、烧结，将所述样品置于加热装置中加热至200±5℃后保持温度固化90±10min。本发明能够实现纳米银导电胶组装芯片的低空洞率、高导热率。
基本信息
专利标题 ：
一种低空洞率、高导热率纳米银导电胶烧结工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361052A
申请号 ：
CN202111439932.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张梦亚贾宁王锦文
申请人 ：
航天科工微系统技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江北新区星火路14号长峰大厦1号楼13层
代理机构 ：
成都熠邦鼎立专利代理有限公司
代理人 ：
车江华
优先权 ：
CN202111439932.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 B82Y30/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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