一种基于异质集成的低损耗太赫兹单片-波导过渡结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种基于异质集成的低损耗太赫兹单片‑波导过渡结构，属于太赫兹单片技术领域。该过渡结构采用异质集成工艺，使得太赫兹信号转移到低介电损耗层传输，并通过腐蚀背金工艺构造了设置于悬空低损耗衬底表面的太赫兹片上天线，以防止波导能量耦合到腐蚀区域部分的III‑V族材料造成能量泄露，从而实现了片上天线到波导的低损耗耦合。该结构在300GHz、1mm长的50ohm传输线情况下，整体结构插入损耗可低至2dB。
基本信息
专利标题 ：
一种基于异质集成的低损耗太赫兹单片-波导过渡结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284671A
申请号 ：
CN202111458615.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张勇魏浩淼黄旭涵
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
吴姗霖
优先权 ：
CN202111458615.5
主分类号 ：
H01P5/08
IPC分类号 ：
H01P5/08 H01Q1/38
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 5/08
申请日 : 20211202
申请日 : 20211202
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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