一种高次模抑制的太赫兹波导探针过渡结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种高次模抑制的太赫兹波导探针过渡结构，属于太赫兹单片技术领域，包括太赫兹减高波导、衬底、屏蔽腔、E面微带探针结构和多个架空结构，所述架空结构为平行于太赫兹减高波导信号传输方向的长条形金属，位于衬底和E面微带探针结构之间，以支撑E面探针和微带线。本发明通过将E面微带探针结构置于架空结构上，一方面形成类悬置微带结构，降低传输损耗；另一方面多个架空结构为次高模式提供新的周期性边界条件，即在架空结构的两端产生电场尖峰，抑制高次模的传输，尤其适用于太赫兹肖特基管单片电路中，结构简单、易于实现，且与现有太赫兹单片工艺兼容。
基本信息
专利标题 ：
一种高次模抑制的太赫兹波导探针过渡结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497950A
申请号 ：
CN202210063543.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张勇魏浩淼李祥陈阳
申请人 ：
电子科技大学
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
电子科技大学专利中心
代理人 ：
邓黎
优先权 ：
CN202210063543.2
主分类号 ：
H01P5/107
IPC分类号 ：
H01P5/107 H01P3/08
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01P 5/107
申请日 : 20220120
申请日 : 20220120
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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