太赫兹无跳丝共面波导单片及系统级电路低插损封装结构

授权

摘要

本发明公开一种太赫兹无跳丝共面波导单片及系统级电路低插损封装结构，应用于电路封装技术领域，针对现有的采用金丝键合线互联，存在的高传输损耗的问题，本发明在每个芯片测试pad上方的Pi介质层打孔制作孔状互联结构，使测试pad与共面波导微带连接，而无需传统的金丝键合跳线结构，微带与互联匹配枝节连接，用于修正孔状互联结构引入的阻抗失配，由于孔状互联结构和互联匹配枝节均采用高精度金属原子溅射技术制作，可以保证良好的一致性和重复性。

基本信息

专利标题：

太赫兹无跳丝共面波导单片及系统级电路低插损封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112993505A

申请号：

CN202110204572.1

公开（公告）日：

2021-06-18

申请日：

2021-02-24

授权号：

CN112993505B

授权日：

2022-05-03

发明人：

王志刚余波王俊辉延波

申请人：

电子科技大学

申请人地址：

四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

代理机构：

成都虹盛汇泉专利代理有限公司

代理人：

王伟

优先权：

CN202110204572.1

主分类号：

H01P3/00

IPC分类号：

H01P3/00 H01P3/10 H01P3/12 H01P3/16