一种硫空位浓度可控的硫化钼纳米片的制备方法及应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种硫空位的硫化钼纳米片的制备方法及应用，通过溶剂热法合成含有硫空位的硫化钼，硫空位能有效的提高电极材料的电子导电性，增加活性位点，同时有效增强钠离子在硫化钼中的嵌入和脱出的过程，提高了该电极材料的稳定性和储能性能，其作为新型储能电极材料方面具有广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
一种硫空位浓度可控的硫化钼纳米片的制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114349053A
申请号 ：
CN202111465803.0
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
江彬彬程亚飞吴孔林汪谢宋小威周菊红
申请人 ：
安庆师范大学;常熟理工学院;安徽工业大学
申请人地址 ：
安徽省安庆市菱湖南路128号（安庆师范）
代理机构 ：
苏州创智慧成知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
周波琴
优先权 ：
CN202111465803.0
主分类号 ：
C01G39/06
IPC分类号 ：
C01G39/06 H01M4/58 H01M10/054
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G39/00
钼的化合物
C01G39/06
硫化物
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 39/06
申请日 : 20211202
申请日 : 20211202
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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