优化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种优化FBAR空腔平坦化工艺缺陷的方法，包括：基底表面具有空腔，在所述空腔内沉积牺牲层；平坦化牺牲层以使得所述牺牲层表面碟形坑为正值得到平坦化器件；将平坦化器件加热至1000℃‑1200℃退火30min‑60min得到热处理器件；在热处理器件表面溅射一层TaN，利用化学机械抛光法抛光TaN层至基底表面得到第二平坦化器件；在所述第二平坦化器件表面沉积压电振荡堆和金属pad层，去除牺牲层得到空腔型FBAR。该方法能够使得FBAR谐振器具有较为电极稳定的结构，较高Q值。本发明还公开了采用该方法制备的FBAR谐振器，以及该FBAR谐振器在制备圆晶片上的应用。
基本信息
专利标题 ：
优化FBAR空腔平坦化缺陷的方法及空腔型FBAR和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114421909A
申请号 ：
CN202111483158.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董树荣庞正基轩伟鹏金浩骆季奎刘刚刘舒婷钟高峰邹锦林
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡红娟
优先权 ：
CN202111483158.5
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/17 H01L41/29 H01L41/314
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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