磁通门磁强计传感器的同点性设计计算方法及系统
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种基于磁矩测定的磁通门磁强计传感器的同点性设计计算方法。磁通门磁强计通过传感器中心基准点作卫星磁场强度与磁矩的测定计算,传感器结构中心点场值被假设为被测磁性产品源点产生的感应场值,而传感器实际检测的磁场强度是传感器区域场强的体积平均;因此,传感器的结构直接影响磁体磁矩的精确测定,尤其是对近源磁矩值的测定与分析。传感器内磁芯尺寸及各磁芯间间距等结构参数是决定上述二者场值一致性的关键;特别是在不同结构传感器的引用中,对于被测磁矩,传感器结构在中心位置磁场强度的同点性将直接影响检测结果的真实可靠性。本发明能够保证磁通门磁强计传感器的同点性。有助于实现卫星可靠性。

基本信息
专利标题 :
磁通门磁强计传感器的同点性设计计算方法及系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114325511A
申请号 :
CN202111486573.6
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
吴卫权陈丽张丽新孙晓春王浩王韬周雪琴
申请人 :
上海卫星装备研究所
申请人地址 :
上海市闵行区华宁路251号
代理机构 :
上海段和段律师事务所
代理人 :
祁春倪
优先权 :
CN202111486573.6
主分类号 :
G01R33/04
IPC分类号 :
G01R33/04  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/04
应用磁通控制原理
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 33/04
申请日 : 20211207
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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