小尺寸Pixel隔离结构的生产工艺及隔离结构
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种小尺寸Pixel隔离结构的生产工艺及隔离结构，其中小尺寸Pixel隔离结构的生产工艺包括：在P型硅衬底上进行N型外延层生长；在N型外延层上沉积硬掩膜层；在硬掩膜层上进行光刻工艺；进行硬掩膜层和N型外延层的刻蚀，形成深沟槽结构；在深沟槽中进行第一次P型外延层生长；在深沟槽侧壁热氧化生长一层薄热氧化层；在深沟槽中填充材料，对填充材料进行直接刻蚀，并在刻蚀后去除深沟槽中剩余的填充材料；进行第二次P型外延层生长，在深沟槽上部封口；拔除硬掩膜层，进行研磨使第二次P型外延层平坦化；在N型外延层及第二次P型外延层上进行第三次P型外延层生长，实现了小尺寸Pixel隔离结构的生产，提升小尺寸像素的感光度，提高像素水平。
基本信息
专利标题 ：
小尺寸Pixel隔离结构的生产工艺及隔离结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267690A
申请号 ：
CN202111497581.0
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李佳龙范晓
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202111497581.0
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20211209
申请日 : 20211209
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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