一种QFN封装外壳插入损耗测试方法
实质审查的生效
摘要

本发明提供一种QFN封装外壳插入损耗测试方法,在QFN封装外壳的加工版图上提取复制两次高频I/O传输线的图形和结构并设计测试陪片,使两个高频I/O传输线的图形和结构互为镜像进行串联;将测试陪片与QFN封装外壳采用同样的材料工艺且同版图同批次进行加工制作;使用插入损耗数值检测仪器通过连接组件分别连接制作好的测试陪片上的传输线的两端进行插入损耗值检测;再将插入损耗检测值除以2得到单个QFN封装外壳的高频I/O传输线的插入损耗数值。本发明利用QFN封装外壳整版阵列批量生产的工艺特点和两根同质传输线串联插入损耗翻倍的特性,复制两次QFN封装外壳的高频I/O传输线并镜像串联制作成测试陪片,以其作为插入损耗的测试样本,无需引入其他结构,对QFN封装外壳产品本身不造成损伤,能够实现高精度的批量测试。

基本信息
专利标题 :
一种QFN封装外壳插入损耗测试方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114355053A
申请号 :
CN202111502440.3
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-09
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘俊永
申请人 :
中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请人地址 :
安徽省合肥市高新区合欢路19号
代理机构 :
合肥天明专利事务所(普通合伙)
代理人 :
金凯
优先权 :
CN202111502440.3
主分类号 :
G01R27/26
IPC分类号 :
G01R27/26  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01R
测量电变量;测量磁变量
G01R27/00
测量电阻、电抗、阻抗或其派生特性的装置
G01R27/02
电阻、电抗、阻抗或其派生的其他两端特性,例如时间常数的实值或复值测量
G01R27/26
电感或电容的测量;品质因数的测量,例如通过应用谐振法;损失因数的测量;介电常数的测量
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01R 27/26
申请日 : 20211209
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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