P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及P型半导体纳米材料制备技术领域，尤其是涉及P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用。本发明采用价格低廉的氯化亚锡作为锡源，以硫化铵水溶液作为硫源，在N2气氛下，绿色环保的形成前体溶液(第一混合溶液)，此过程并无有害气体产生，再通过160‑200℃的低温水热反应获得尺寸可控的P型SnS纳米颗粒，颗粒尺寸最大接近100nm；然后利用P型SnS纳米颗粒制备得到P型SnS薄膜，并将P型SnS薄膜作为钙钛矿太阳能电池的无机电子传输层用于制备钙钛矿太阳能电池。与现有技术相比，本发明可降低材料制作成本，且具有反应时间短、制备工艺简单、导电性好以及工艺流程绿色环保等优点。
基本信息
专利标题 ：
P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114380324A
申请号 ：
CN202111511015.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐雨田芮一川朱博雅丁改琴
申请人 ：
上海工程技术大学
申请人地址 ：
上海市松江区龙腾路333号
代理机构 ：
上海科盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
褚明伟
优先权 ：
CN202111511015.0
主分类号 ：
C01G19/00
IPC分类号 ：
C01G19/00 H01L51/42 H01L51/46 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01G
含有不包含在C01D或C01F小类中之金属的化合物
C01G19/00
锡的化合物
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C01G 19/00
申请日 : 20211211
申请日 : 20211211
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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