一种晶圆投片方法、存储介质、仿真模组和光刻排产设备
公开
摘要
本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种晶圆投片方法、存储介质、仿真模组和光刻排产设备；本发明实施例通过信息采集步骤（20）、模型构造步骤（30）、随机模拟步骤（40）和筛选优化步骤（50）实现了过平台排片的优化；通过随机模拟过程的过滤，将相对稳定或局部最优的排片方案筛选了出来。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆投片方法、存储介质、仿真模组和光刻排产设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300383A
申请号 ：
CN202111519775.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹锋钱春霞徐秋晨周菁郑小平刘帆
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202111519775.6
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 G06F30/20 G06F111/04 G06F111/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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