光罩制作方法、光罩、光刻方法、介质、模组及光刻机
实质审查的生效
摘要
本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种光罩制作方法、光罩、光刻方法、介质、模组及光刻机；基于多台阶晶圆等应用场景，对可能出现光刻离焦的不利工况进行了针对性的设计；通过一种复合式的光罩结构，实现了光罩与晶圆表面的匹配；可根据需要设置不同分辨率或密集度的遮光面，用以应对不同形貌的晶圆表面或工件；由于焦平面根据形貌进行了匹配设置，将有利于光刻精度和良率提升。
基本信息
专利标题 ：
光罩制作方法、光罩、光刻方法、介质、模组及光刻机
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114355723A
申请号 ：
CN202111519834.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高松胡丹丹
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区良腾路6号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
王关根
优先权 ：
CN202111519834.X
主分类号 ：
G03F1/68
IPC分类号 ：
G03F1/68 G03F1/38
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/68
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/68
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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