一种低暗电流有机倍增型光电探测器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种低暗电流有机倍增型光电探测器及其制备方法，涉及光电探测领域，解决有机倍增型光电探测器暗电流较大等问题，包括自下而上依次设置的透明导电电极层、电子传输层、有机功能层、第一空穴阻挡层、第二空穴阻挡层、第三空穴阻挡层和金属电极层；本发明通过三种空穴阻挡层组成的量子阱结构，可以在暗态下限制从金属电极注入的电子，进而减小暗电流；将量子阱结构应用于阻挡层型有机倍增型光电探测器，可以不需要额外的功能层来减少暗态下的电子注入，结构较为简单，制备方法高效；有机倍增型光电探测器的结构独特。
基本信息
专利标题 ：
一种低暗电流有机倍增型光电探测器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284435A
申请号 ：
CN202111525578.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄江王美玲窦子凡范青山
申请人 ：
电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院
申请人地址 ：
四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号
代理机构 ：
成都弘毅天承知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱丹
优先权 ：
CN202111525578.5
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/48 B82Y40/00
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/42
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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