一种GaAs纳米锥肖特基结太阳能电池及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于太阳能电池的技术领域，公开了一种GaAs纳米锥肖特基结太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括依次层叠的背面电极、表面设有纳米锥阵列的n型掺杂GaAs衬底、空穴传输层、石墨烯导电层以及正面电极；表面设有纳米锥阵列的n型掺杂GaAs衬底包括依次设置的n型GaAs衬底和GaAs纳米锥阵列；n型GaAs衬底设置在背面电极上。本发明还公开了太阳能电池的制备方法。本发明引入纳米锥结构，当入射光射入时，光子会产生多重反射及折射，从而直接被GaAs纳米结构所捕获，并且可省略减反射膜，简化太阳能电池的结构。此外，本发明在纳米锥结构表面引入空穴传输层，从而减少载流子复合，提高光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种GaAs纳米锥肖特基结太阳能电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373866A
申请号 ：
CN202111526602.7
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李国强陈嘉颖高鹏林静
申请人 ：
华南理工大学
申请人地址 ：
广东省广州市天河区五山路381号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈智英
优先权 ：
CN202111526602.7
主分类号 ：
H01L51/42
IPC分类号 ：
H01L51/42 H01L51/48 B82Y40/00
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 51/42
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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