一种增强AlScN薄膜C轴取向的方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了属于压电薄膜制备技术领域的一种增强AlScN薄膜C轴取向的方法。所述步骤包括：将Al靶、具有不同Sc含量的过渡AlSc靶以及目标AlSc靶装入磁控溅射设备，通入工作气体，调节溅射气压、气体比例和溅射功率；按Al靶、Sc含量由高到低的过渡AlSc靶以及目标AlSc靶的顺序，依次在衬底上进行溅射；结束沉积过程后，降温即得到Sc含量与目标AlSc靶金属元素原子百分比一致的高C轴取向AlScN薄膜。本发明采用的方法能够在制备高Sc含量AlScN薄膜时，改善AlScN形核生长初期晶格畸变造成的取向紊乱，进一步增强AlScN薄膜的C轴择优取向，提高其压电性能。
基本信息
专利标题 ：
一种增强AlScN薄膜C轴取向的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381701A
申请号 ：
CN202111536130.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘皓门阔熊玉华吴华亭杨志民
申请人 ：
有研工程技术研究院有限公司
申请人地址 ：
北京市怀柔区雁栖经济开发区兴科东大街11号
代理机构 ：
北京众合诚成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张文宝
优先权 ：
CN202111536130.3
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/06 C23C14/02 H01L41/316
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20211215
申请日 : 20211215
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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